日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測(cè)NC-80MAP

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 使用多種類型的非接觸式探頭的電阻測(cè)量儀器，范圍廣泛
  （要安裝的探頭數(shù)量和探頭類型可根據(jù)要求更改）
• 從8 mm的邊緣可以進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)量
• 由于它是一種非接觸式渦流方法，因此可以進(jìn)行測(cè)量而不會(huì)損壞它。
• 可編程測(cè)量模式和2-D / 3-D映射軟件
• *選項(xiàng)：安裝了額外的晶圓厚度測(cè)量探針

日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測(cè)NC-80MAP

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
 硅基外延，離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的進(jìn)樣樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)xi）

測(cè)量尺寸

2-8英寸
（可選； 12英寸）

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm
（*所有探頭類型的總量程/厚度500um）
[抗剪強(qiáng)度] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總量程）

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。

（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）